MTI  |  SKU: IAUcB50D05C1US5

VGF-InAs (111)B, tipo N, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp

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VGF-InAs (111)B, tipo N, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp

MTI

  •                         Metodo di crescita VGF
  •                         Orientamento (111)B ± 0,5 gradi
  •                         Piani di orientamento (1-10) (001)   
  •                         Drogaggio Non drogato
  •                         Tipo di conduttività Tipo N
  •                         Concentrazione di portatori (1-3)E16 / cm⁻³
  •                         Mobilità >20000 cm²/V·s  
  •                         EPD <15.000 / cm²
  •                         Resistività: 1,3×10⁻² ohm·cm
  •                         Spessore standard 500 ± 25 mm
  •                                 Diametro standard 50,8 ± 0,5 mm
  •                         Lucidatura su un lato

 



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