MTI | SKU:
SiBa50D05C1R0001
Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, drogato P tipo B, R:0,001-0,005 ohm.cm
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Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, drogato P tipo B, R:0,001-0,005 ohm.cm
MTI
- Cristallo singolo Si
- Tipo conduttivo: Tipo P (drogato B)
- Resistività: 0,001-0,005 ohm.cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività,
ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) - Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm
- Orientamento: (100)
- Lucidatura: un lato lucidato
- Rugosità superficiale: < 5A
Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).