MTI  |  SKU: ALC50D043C1

Al2O3 - Oblea de zafiro <0001> 2 "dia x 0.43mm 1SP - ALC50D043C1

Precio normal €49,39


Entrega y envío a la UE

Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.

Al2O3 - Oblea de zafiro <0001> 2 "dia x 0.43mm 1SP - ALC50D043C1

MTI

Características:
  • Zafiro ( monocristal de Al2O3 ) se utiliza ampliamente como sustrato para nitruros III-V y para muchas otras películas epitaxiales.
  • Orientación: Eje C[0001] off Plano M(1-100) 0,2o+/-0,1o
  • Diámetro: 50,8 mm +/- 0,1 mm
  • Espesor: 430um +/- 15 um
  • Plano mayor: eje A[11-20]+/-0,2o
  • Longitud del plano mayor: 16 mm +/- 1,0 mm
  • Acabado superficial: Lado frontal: Epi-pulido, Ra< 0.3 nm(por AFM); Parte trasera: Pulido fino, Ra= 0,4-1,2 um
  • TTV: <= 7 um
  • Arco:<= 10 um
  • WARP<=15um
  • TIR<=10um
  • Superficie pulida: Un lado epi pulido por tecnología especial CMP
  • Embalaje: Cada oblea se embala en sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

  • Estructura cristalina: Hexagonal. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
  • Punto de fusión: 2040 grados C
  • Densidad: 3,97 gramos/cm2
  • Técnica de crecimiento: CZ
  • Pureza del cristal: >99.99%
  • Dureza: 9 ( mohs)
  • Térmica Expansión: 7.5x10-6 (/ oC)
  • Conductividad térmica: 46,06 @ 0 oC, 25,12 @ 100 oC, 12,56 @ 400 oC( W/(m.K) )
  • Constante dieléctrica: ~ 9,4 @300K en el eje A ~ 11,58@ 300K en el eje eje C
  • Tangente de pérdida a 10 GHz: < 2x10-5 en el eje A, <5 x10-5 en el eje C
Haga clic aquí para ver los datos detallados

Relacionados Productos

Otros zafiros

GaN

Plantilla AlN

ZnO

A-plane (11-20)

Limpiador de diamante

Lápiz de vacío

Contenedores para obleas

Recubridores de película