Sustrato de cristal A-Z

MTI

Ge Wafer (111) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), R: 10-20 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (111) 2" dia x 0.4 mm, 2SP, tipo P ( Ga dopado) Resistividades: 0,035-0,039ohm-cm

MTI

Ge Wafer (111) 2" dia x 0..5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), R: 0.05-0.5 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (110)N type, Sb doped, 2" dia x 0.5 mm, 2SP Resistividad: 1-5 ohm.cm

MTI

Ge Wafer (110)N type, Sb doped, 2" dia x 0.5 mm, 2SP Resistividad: 0.1-0.5ohm.cm

MTI

Ge Wafer (110)N type, Sb doped, 2" dia x 0.5 mm, 1SP Resistividad: 1-5 ohm.cm

MTI

Ge Wafer (110)N type, Sb doped, 2" dia x 0.5 mm, 1SP Resistividad: 0.1-1.0 ohm.cm - GESbe50D05C1R01US

MTI

Oblea de Ge (110) tipo N sin dopar, 4" dia x 0,5 mm, 2SP,R>50ohm.cm - GEUe101D05C2R50US

MTI

Oblea de Ge (110) tipo N sin dopar, 4" diá. x 0,5 mm, 1SP,R:>50 ohm.cm

MTI

Oblea de Ge (110) tipo N sin dopar, 2" dia x 0,5 mm, 2SP,R:>50 ohm.cm - GEUe50D05C2R50US

MTI

Oblea de Ge (110) tipo N sin dopar, 2" diá. x 0,5 mm, 1SP, R:>50 ohm.cm

MTI

Oblea de Ge (110) tipo N sin dopar, 1" dia x 0,5 mm , 2SP,R:>50 ohm.cm

MTI

Oblea de Ge (110) tipo N sin dopar, 1" dia x 0,5 mm , 1SP,R:>50 ohm.cm

MTI

Oblea de Ge (110) dopada con Ga, 2" dia x 0,5 mm, 2SP Resistividad : 0,1-0,5 ohm-cm - GEGae50D05C2R01US

MTI

Ge Wafer (110) dopado con Ga, 2" dia x 0.5 mm, 1SP Resistividad : 1-10 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (110) dopado con Ga, 2" dia x 0,5 mm, 1SP Resistividad : 0,1-1,1 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (110) 4" dia x 0.5 mm,2SP, tipo N ( Sb dopado) R:1-5 ohm.cm

MTI

Ge Wafer (110) 4" dia x 0.5 mm,2SP, tipo N ( Sb dopado) R:0.1-0.5ohm.cm

MTI

Oblea de Ge (100)tipo N Sin dopar, 1" dia x 0,5 mm , 2SP,R:>50 ohm.cm - GEUa25D05C2R50

MTI

Oblea de Ge (100)+/-1,5 grados, No dopada, 2 "x0,5 mm, 1SP, R>50 ohm-cm