Sustrato de cristal A-Z

MTI

Ge Wafer (110) dopado con Ga, 2" dia x 0.5 mm, 1SP Resistividad : 1-10 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (110) dopado con Ga, 2" dia x 0,5 mm, 1SP Resistividad : 0,1-1,1 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (110) 4" dia x 0.5 mm,2SP, tipo N ( Sb dopado) R:1-5 ohm.cm

MTI

Ge Wafer (110) 4" dia x 0.5 mm,2SP, tipo N ( Sb dopado) R:0.1-0.5ohm.cm

MTI

Oblea de Ge (100)tipo N Sin dopar, 1" dia x 0,5 mm , 2SP,R:>50 ohm.cm - GEUa25D05C2R50

MTI

Oblea de Ge (100)+/-1,5 grados, No dopada, 2 "x0,5 mm, 1SP, R>50 ohm-cm

MTI

Oblea de Ge (100) con plano mayor <110> 100mm dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado) R:0.1-0.5 ohm.cm - GESba100D05C1BeR01US5

MTI

Ge Wafer (100) con plano (100) 4" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado) Resistividades: 0,1-0,5 ohm-cm - GESba100D05C1R01US

MTI

Ge Wafer (100) Sin dopar, 4" dia x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) Sin dopar, 2" dia x 0,5 mm, resistividades: >50 ohm-cm, 2SP - GEUa50D05C2R50US

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 1.0 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado), resistividades: 0,02 ohm-cm - GEsba50D10c1R002US

MTI

Ge tipo N SB-dopado (111) 5x5x0,5mm 1sp, R: 0,005-0,01 ohm.cm

MTI

Ge (111), plano-(1-10), tipo N, dopado con Sb, 10x10x0,5mm, 1sp, R:0,005-0,01 ohm.cm

MTI

GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 2sp

MTI

GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 1sp - GSOe050505S1US

MTI

GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 2sp

MTI

GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 1sp

MTI

GdScO3 (001)10x10x0,5mm 1sp - GSOb101005S1US

MTI

GaSb, (100), dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.45mm, 1sp,Concentración portadora: (5.8)x10^18 cm^-3

MTI

GaSb, (100), dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.45mm, 1sp,Concentración portadora:(1-3)x10^17 cm^-3