Sustrato de cristal A-Z

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GGG, (100), 10x10x0,5 mm, 2 Caras Pulido - GGGa101005S2

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GGG (111), 10x10x0,5mm, 2sp - GGGc101005S2

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Ge(111) Wafer N-type Undoped, 2" dia x 0.5 mm, 2SP R >50 Ohm.cm - GEUc50D05C2R50US

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Oblea de Ge(100). 100mm dia x 0.5 mm, 2SP, tipo P (Ga dopado) R: 0.004-0.01ohm.cm - GEGaa100D05C2BeR0004US

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Oblea de Ge(100) . 100mm dia x 0.5 mm, 2SP, tipo P ( Ga dopado) R:1.4-1.7 ohm.cm

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Ge Wafer Undoped (110) 3" dia x 0.5 mm 2 cara pulida resistividad: >50 ohm-cm

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Ge Wafer Undoped (110) 3" dia x 0.5 mm 1 cara pulida resistividad: >50 ohm-cm

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Ge Wafer Undoped (100) 3" dia x 0.5 mm 1 cara pulida resistividad: >50 ohm-cm - GEUa76D05C1R50US

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Ge Wafer - Tipo N No dopado, 2" dia x 0.5 mm, 1SP (111), R >50 ohm.cm - GEUc50D05C1R50US

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Ge Wafer ,N-type Undoped (100) 3" dia x 0.5 mm 2 cara pulida resistividad: >50 ohm-cm

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Oblea de Ge (211) tipo N sin dopar, 2" dia x 0,45 mm, 2SP, Resistividades: > 45 ohm.cm

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Oblea de Ge (211) tipo N sin dopar, 2" diá. x 0,45 mm, 1SP, resistividades: >45 ohm-cm

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Oblea de Ge (111)+/-1,5 grados, No dopada, 2 "x0,5 mm, 1SP, R>50 ohm-cm

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Ge Wafer (111) con 9,45 grados de desviación, 2" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N ( Sb dopado), resistividades: 0,1-0,5ohm-cm

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Ge Wafer (111) Sin dopar, 1" dia x 0,5 mm ,2SP, R:>50 ohm.cm

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Oblea de Ge (111) tipo N sin dopar, 1" dia x 0,5 mm ,1SP, R:>50 ohm.cm

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Ge Wafer (111) 4" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb- dopado)con resistividades: 0,014-0,022 Ohmios-cm

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Ge Wafer (111) 4" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N ( Sb- dopado) con resistividades: 0,014-0,022 Ohmios-cm

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Ge Wafer (111) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo P ( Ga dopado) resistividades: 0,005-0,01ohm-cm

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Ge Wafer (111) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N (Sb dopado), resistividades: 0,1-1,0 ohm-cm - GEsbc50D05C2R01US