Sustrato de cristal A-Z

MTI

Oblea de Ge (100) con plano mayor <110> 100mm dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado) R:0.1-0.5 ohm.cm - GESba100D05C1BeR01US5

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Ge Wafer (100) con plano (100) 4" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado) Resistividades: 0,1-0,5 ohm-cm - GESba100D05C1R01US

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Ge Wafer (100) Sin dopar, 4" dia x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm-cm

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Ge Wafer (100) Sin dopar, 2" dia x 0,5 mm, resistividades: >50 ohm-cm, 2SP - GEUa50D05C2R50US

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Ge Wafer (100) 2" dia x 1.0 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado), resistividades: 0,02 ohm-cm - GEsba50D10c1R002US

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Ge tipo N SB-dopado (111) 5x5x0,5mm 1sp, R: 0,005-0,01 ohm.cm

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Ge (111), plano-(1-10), tipo N, dopado con Sb, 10x10x0,5mm, 1sp, R:0,005-0,01 ohm.cm

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GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 2sp

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GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 1sp - GSOe050505S1US

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GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 2sp

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GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 1sp

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GdScO3 (001)10x10x0,5mm 1sp - GSOb101005S1US

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GaSb, (100), dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.45mm, 1sp,Concentración portadora: (5.8)x10^18 cm^-3

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GaSb, (100), dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.45mm, 1sp,Concentración portadora:(1-3)x10^17 cm^-3

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Oblea de GaSb (111)-B, no dopada, tipo P 2 "x0,5 mm ,2sp

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Oblea de GaSb (100), no dopada, 5x5x0,5 mm, 1sp

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Oblea de GaSb (100), no dopada, 2 "x0,5 mm dos caras pulidas - GSUa50D05C2US

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Oblea de GaSb (100), sin dopar, 2 "x0,5 mm ,1sp

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Oblea de GaSb (100), no dopada, 10x10x0,5 mm, 1sp - GSUa101005S1

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GaSb (100), tipo N, dopado con Te, oblea de 2 "D x0,5 mm 1sp Concentración del portador: (1-8)x10^17 cm^-3