Sustrato de cristal A-Z

MTI

Cu Sustrato metálico ( policristalino) 10x10x0,5mm, 1 cara pulida

MTI

CsPbBr3 sustrato monocristalino (100 ) 10x10x0,5mm, 1sp

MTI

CsI Bloque monocristalino 10x10x5,0 mm, esmerilado fino - CSI101050SN

MTI

CsI (Tl) Sustrato monocristalino 10x10x 1,0 mm, 2sp

MTI

CsI (Tl) Sustrato monocristalino 10x10x 1,0 mm, 1sp - CsITl101010S1

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo P (Ga dopado), resistividad: 0.001-0.01 ohm-cm - GEGaa50D05C2R0001US

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo P ( Ga dopado), resistividad: 0.0007-0.002 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), resistividades: 10-20 ohm-cm - GEsba50D05C2R10US

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), Resistividades: 1-5 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), Resistividades: 0,01-0,1ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo P ( Ga dopado), resistividad: 0.0007-0.002 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado), resistividad:2.5-2.7ohm-cm - GESba50D05C1R2pt7BeUS

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.45 mm, 2SP, tipo N (Sb dopado), resistividades: 0,001-0,01 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) +/-0,7 Grados 2" dia x 0,45 mm, 1SP, tipo N ( Sb dopado), R:>40 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) +/- 2,5 Grados Sin dopar, 2" dia x 0,5 mm, 1SP, Resistividades: >50 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) +/- 1 grado, 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), resistividades: 0,1-0,5 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) +/- 0,7 grados 2" dia x 0,5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), R:>40 ohm-cm

MTI

Ge Wafe, tipo N Sin dopar, 1" dia x 0,5 mm, 1SP (100) R: >50 Ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100)+/- 2 grados, 10x5 x 0,5 mm , 2SP, tipo P dopado con Ga,R:10-15 ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100)+/- 2 grados, 10x3 x 0,5 mm , 2SP, tipo P dopado con Ga,R:10-15 ohm.cm