Sustrato de cristal A-Z

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Ge Sustrato monocristalino, tipo N No dopado (100) +/-2,5 Grados, 10x10x0,5mm, 1sp, R: >50 ohm.cm

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Ge Sustrato monocristalino, tipo N dopado con Sb (100) 5x5x 0,45mm 1sp, R<0,009ohm.cm

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Oblea de Al2O3- Zafiro, Plano M (10-10) Oblea de 3 "Dia x 0,5 mm, 2sp

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Ge Sustrato monocristalino, tipo N Orificio (111) no dopado. 5x5x0.5mm 2sp,R>50 ohm.cm

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Ge Sustrato monocristalino ,tipo N No dopado (100)ori. 10x10x0.5mm 1sp,R>50 ohm.cm - GEUa101005S1R50

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Ge Sustrato monocristalino, tipo N Sin dopar (100)ori. 10x10x0.4mm 1sp,R>50 ohm.cm

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Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,10x10x0,5mm,2sp, R>50 ohm.cm

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Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,10x10x0,5mm,2sp, R>40 ohm.cm

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Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,1 "x1 "x0,5mm,2sp, R>50 ohm.cm

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GaAs, (110) ori. no dopado, 5x5x5,5-5,6mm, 2sp

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GaAs( LEC ) Wafer (110) undoped Semi-Insulated 2 "D x 2.8 mm, as cut

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Oblea de GaAs, método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas semi-aisladas 3 "D x0.5 mm, 2SP - GAUa76D05C2US5

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Oblea de GaAs, Método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 2 "D x0.5 mm, 2SP

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Oblea de GaAs, método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 2 "D x0.5 mm, 1SP

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GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)A , SI, no dopado, 4" dia x 0.55 mm, 2sp

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GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)A , SI, no dopado, 4" dia x 0.55 mm, 1 sp

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GaAs , Método de crecimiento: VGF(100) Si dopado, tipo N, 2" dia x 0.5mm, 2sp,Concentración portadora: (3.8-6.2) x 10^16 /cm^3

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x5 x0.5 mm, 2SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x3 x0.5 mm, 2SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.6 mm, 1SP