Sustrato de cristal A-Z

MTI

GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.5 mm, 2SP

MTI

GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.5 mm, 1SP

MTI

GaAs (111)B orientación, Semi-Insulating, undoped, 5X5x 0.625mm, 1sp

MTI

Orientación GaAs (111)B, Semiaislante, sin dopar, 10x10x 0,625mm, 1sp,

MTI

GaAs (111)A orientación, Semi-Insulante, no dopado, 5x5x 0,5-0,55mm, 1sp,

MTI

GaAs (111)A orientación, Semi-Insulating, undoped, 10x10x 0.55mm, 1sp,

MTI

GaAs (100), tipo N dopado con Te, 5 x 5 x 0,35 mm, 1SP

MTI

Orientación GaAs (100), SI (semiaislante), sin dopar 5x5x 0,5mm, 1sp,

MTI

Película de CeO2 (40 nm una cara) sobre YSZ, <111>10x10x0,5 mm, 1sp - FmCeO2onYSZc101005S1FT40nm

MTI

Película de CeO2 (40 nm una cara) sobre YSZ <110> 10x10x0,5 mm - FmCeO2onYSZe101005S1FT40nm

MTI

Película de CeO2 (40 nm una cara) sobre YSZ <100> 10x10x0,5 mm - FmCeO2onYSZa101005S1FT40nm

MTI

Ce:YAG ( 0,2% peso Ce dopado)sustrato (111) 10x10x 0,2 mm, 2sp - YAGCec101002S2

MTI

Ce:YAG (dopado con Ce al 0,2% en peso) sustrato (111) 5 x 5 x 0,5 mm, 2sp - YAGCec050505S2

MTI

Ce:YAG (dopado con Ce al 0,2% en peso) sustrato (111) 2" dia.x 0,5 mm, 1sp

MTI

Ce:YAG (dopado con Ce al 0,2% en peso) sustrato (111) 10x10x 0,5 mm, 2sp - YAGCec101005S2

MTI

Ce:Lu2SiO5 sustrato (110 ) 10x10x0,5 mm, 1sp

MTI

Ce:Lu2SiO5 sustrato (001 ) 10x10x0,5 mm, 1sp - LSOCeb101005S1US

MTI

CdZnTe (111) tipo P, 5x5x1,0mm 2sp

MTI

CdZnTe (111) tipo P, 5x5x0,5mm 1sp

MTI

CdZnTe (111) tipo P, 10x5x1,0mm 2sp