Sustrato de cristal A-Z

MTI

Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,10x10x0,5mm,2sp, R>50 ohm.cm

MTI

Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,10x10x0,5mm,2sp, R>40 ohm.cm

MTI

Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,1 "x1 "x0,5mm,2sp, R>50 ohm.cm

MTI

GaAs, (110) ori. no dopado, 5x5x5,5-5,6mm, 2sp

MTI

GaAs( LEC ) Wafer (110) undoped Semi-Insulated 2 "D x 2.8 mm, as cut

MTI

Oblea de GaAs, método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas semi-aisladas 3 "D x0.5 mm, 2SP - GAUa76D05C2US5

MTI

Oblea de GaAs, Método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 2 "D x0.5 mm, 2SP

MTI

Oblea de GaAs, método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 2 "D x0.5 mm, 1SP

MTI

GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)A , SI, no dopado, 4" dia x 0.55 mm, 2sp

MTI

GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)A , SI, no dopado, 4" dia x 0.55 mm, 1 sp

MTI

GaAs , Método de crecimiento: VGF(100) Si dopado, tipo N, 2" dia x 0.5mm, 2sp,Concentración portadora: (3.8-6.2) x 10^16 /cm^3

MTI

GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x5 x0.5 mm, 2SP

MTI

GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x3 x0.5 mm, 2SP

MTI

GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.6 mm, 1SP

MTI

GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.5 mm, 2SP

MTI

GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.5 mm, 1SP

MTI

GaAs (111)B orientación, Semi-Insulating, undoped, 5X5x 0.625mm, 1sp

MTI

Orientación GaAs (111)B, Semiaislante, sin dopar, 10x10x 0,625mm, 1sp,

MTI

GaAs (111)A orientación, Semi-Insulante, no dopado, 5x5x 0,5-0,55mm, 1sp,

MTI

GaAs (111)A orientación, Semi-Insulating, undoped, 10x10x 0.55mm, 1sp,