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Si Wafer (100) 4 deg. off hacia (110), 3 "dia x 0.5 mm, 1 sp, tipo N, P dopado,R:10-30 ohm.cm - SIPa76D05C1deg4R10

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Si Wafer (100) 4 "dia x 0.525 mm 1SP, N Tipo P dopado Resistividades: 0,1-1 ohm-cm

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Oblea de Si (100) tipo N, sin dopar, 2" dia x 0.5mm, 2SP, FZ, Sin dopar , R>1000 ohm-cm - SiUa50D05C2R1000

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Oblea de Si (100), 1" dia x 0.5mm, 1sp, tipo P, dopada con B, R:0.1-1.0 ohm-cm - SiBa25D05C1R01

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Oblea de Si (100), 2" diá. x 0,1 mm, 1SP, tipo P, dopada con B, R:5-20 ohm.cm - SIBa50D01C1

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Oblea de Si (100), 2" diá. x 0,275 mm, 1SP, tipo P, dopada con B, R: 0,2-0,4 ohm-cm - SIBa50D0275C1R02

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Oblea de Si (100), 2" diá. x 0,3 mm, 1SP, tipo N, dopada con As R<=0,005 ohm.cm

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Oblea de Si (100), 2" diá. x 0,5 mm, 1SP, tipo N, dopada con As R<=0,005 ohm.cm - SIAsa50D05C1R0005

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Oblea de Si (100), 2" dia x 0.5mm, 1SP, P tipo B dopado, R:1-10 ohm.cm

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Oblea de Si (100), 3 "dia x 0,1 mm, 1sp, tipo P, dopada con B, resistividades: 30-100 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 3 "dia x 0,35 mm, 1sp, tipo P, dopada con B, resistividades:0,001-0,005ohm-cm

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Oblea de Si (100), 3 "dia x 0,38 mm, 1sp, tipo P, dopada con B, resistividades: 1-10 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 3 "dia x0,35 mm, 2sp, tipo N, dopada con As, R:0,001-0,005 ohm.cm

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Oblea de Si (100), 3 "dia x0,35-0,4 mm, 1sp, tipo N, dopada con As, R:0,001-0,008 ohm.cm - SIAsa76D035C1R0001

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Oblea de Si (100), 3 "dia x0,38 mm, 1sp, tipo N, dopada con As, R:0,001-0,005 ohm.cm

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Oblea de Si (100), 3 "dia x0,381 mm, 1sp, tipo N, dopada con P, R:5-10 ohm.cm - SIPa76D0381C1R5

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Oblea de Si (100), 3 "dia x0,5 mm, 1sp, tipo N sin dopar R:>1000 ohm.cm

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Oblea de Si (100), 3 "dia x0,5 mm, 1sp, tipo N, dopada con P, R:1-10 ohm.cm - SIPa76D05C1R1

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Oblea de Si (100), 3 "dia x0,5 mm, 2sp, tipo N, Sin dopar, R>1000 ohm-cm - SIUa76D05C2R1000

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0,2 mm, 1SP, Tipo N, dopada con As, resistividad: 0,001-0,005 ohm-cm