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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,275 mm, P Tipo B dopado, 1SP, Resistividades: 0,5 - 2,0 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,525 mm, 1SP, Tipo N, dopada con As, resistividad: 0,001-0,005 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo N, Sb dopado, R:0.01-0.02 ohm.cm - SISba101D05C1R001

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividades: 0,001-0,005 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, Resistividades: 0,1 - 1,0 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividades: 1-10 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividades:0.01-0.1ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, Resistividades>200 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N , Sin dopar con resistividades: >1.000 ohm-cm - SiUa101D05C1R1000

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N , Sin dopar con resistividades: >5000 ohm-cm

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Si Wafer (100), 4" dia x 0.5 mm, 1SP, N-type ,Undoped con resistividades:> 15,000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N, Sin dopar con resistividades: 8000-9000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" diá. x 0,5 mm, 1SP, tipo N, sin dopar con resistividades:> 10.000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 2SP, tipo N , Sin dopar con resistividades: >15.000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" diá. x 0,5 mm, 2SP, tipo N, sin dopar, resistividades: > 1000 ohm-cm - SiUa101D05C2R1000

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 2SP,tipo N, Sin dopar con resistividades: >10.000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 "dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo N, P dopado, Resistividades: 1-10 ohm-cm - SiPa101D05C1R1US

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Oblea de Si (100), 5 " dia x 0.625mm, 1SP tipo N ,P- dopado, R:1-10 ohm-cm,

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Oblea de Si (100), 6 " dia x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P (B dopado) con resistividades: 1-30ohm-cm - SIBa152D0675C1R1US

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Oblea de Si (100), tipo N, dopada con P, 2" diá. x 0,3-0,35 mm, 1SP, R:1-10 ohm.cm-1