mti

MTI

Oblea de Si (100), tipo N, dopada con P, 2" diá. x 0,5 mm, 1SP, R:1-10 ohm.cm

MTI

Oblea de Si (100), tipo N, dopada con P, 2" diá. x 0,5 mm, 2SP, R:1-10 ohm.cm

MTI

Oblea de Si (110) 2" dia x 0.5 mm t, 1SP, FZ, Sin dopar, resistividades: >1.000 ohm-cm - SiUe50D05C1R1000

MTI

Si Wafer (110) 2" dia x 0.5 mm t, 2SP, tipo P, B dopado, R:8-12 ohm-cm

MTI

Si Wafer (110) 2" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo P, B dopado,R:1-10 ohm-cm

MTI

Oblea de Si (110) 2" diá. x 0,5 mm, 2SP, tipo P, dopada con B, R:0,01-1,0 ohm-cm - SIBe50D05C2R001

MTI

Oblea de Si (110) 3 " dia x 0,5 mm, 1sp tipo P, dopada con B, resistividad: 1-10 ohm-cm

MTI

Si Wafer (110), 2" dia x 0.5 mm t, 2SP, tipo P/ B dopado, R:0.1-1.0ohm-cm

MTI

Oblea de Si (110), 2" diá. x 0,5 mm, 1SP, tipo N, dopada con P, R: 1-10 ohm-cm

MTI

Oblea de Si (110), 2" diá. x 0,5 mm, 2SP, tipo N, dopada con P R:0,05-0,5 ohm.cm

MTI

Oblea de Si (110), 3 "dia x 0,5 mm, 1sp, tipo N, dopada con P, resistividad: 1-10 ohm-cm - SIPe76D05C1R1

MTI

Oblea de Si (110), 4" dia x 0,5 mm, 1SP, Tipo N (sin dopar, FZ R>1000 ohm-cm)

MTI

Oblea de Si (111) 2" diá. x 0,1 mm, 1SP, tipo P, dopada con B, R:1-10 ohm.cm - SIBc50D01C1R1US

MTI

Oblea de Si (111) 2" diá. x 0,279 mm, 1SP, tipo P, dopada con B, R:1-10 ohm-cm - SIBc50D0279C1R1

MTI

Oblea de Si (111) 2" diá. x 0,28 mm, 1SP, tipo P, dopada con B, R:0,1-10 ohm-cm - SIBc50D028C1R01

MTI

Oblea de Si (111) 2" diá. x 0,5 mm, 1SP, tipo P, dopada con B, R:1-10 ohm-cm - SIBc50D05C1R1

MTI

Oblea de Si (111) 2" diá. x 0,5 mm, 2SP, tipo N, dopada con As ,R:0,005-0,05 ohm.cm - SIAsc50D05C2R0005

MTI

Oblea de Si (111) 2" diá. x 0,5 mm, 2SP, tipo N, dopada con P ,R:0,005-0,05 ohm.cm

MTI

Oblea de Si (111) 2" diá. x 0,5 mm, 2SP, tipo P, dopada con B, R:1 - 10 ohm-cm - SIBc50D05C2R1

MTI

Si Wafer (111) 2" dia x 0.5mm, 1SP, FZ, Undoped, R> 10,000 ohm-cm - SIUc50D05C1R10000