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Oblea de Si (111), 4 "dia x 0.45 mm, 1SP, Tipo N (P dopado), resistividad:0.4-0.6ohm-cm

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Oblea de Si (111), 4 "dia x 0,5 mm, 1SP, Tipo N (sin dopar, FZ R>5000 ohm-cm)

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Oblea de Si (111), 4 "dia x 0.5-0.525 mm, 1SP, Tipo N (P dopado), resistividad: 1-10 ohm-cm

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Oblea de Si (111), 5 " dia x 0.625mm, 1SP tipo P ( B- dopado), R:1-10 ohm-cm - SIBc125D0625C1R1US

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Oblea de Si (111), 6 " dia x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P ( B dopado) con resistividades: 1-10 ohm-cm

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Oblea de Si (111), 6 " dia x 0.65 - 0.7 mm, 1SP tipo P ( B dopado) con resistividades: 5-10 ohm-cm,25pcs/Pack

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Oblea de Si (111), calidad primera, 4" dia x 0,525 mm, 1SP, tipo N, dopada con As, resistividad: 0,001-0,005 ohm-cm - SiAsc101D05C1R0001

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Oblea de Si (111)4 +/- 0,5 grados, 4" dia x 0,525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividad: 0,001 -0,005 ohm-cm

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Oblea de Si (111)con 4 deg. off, 4" dia x 0,525 mm, 1SP, Tipo N (P dopado), resistividad: 1-10 ohm-cm

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Si3N4 Jar w/ SS Jacket for SFM-3 & SFM-3-II Milling Machines (80ml) - MJ3SN-80

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Sustrato cerámico de nitruro de silicio Si3N4, 10 x 10 x 1,0 mm, pulido por una cara - CmSi3N4101010S1

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Sustrato cerámico de nitruro de silicio Si3N4, 20 x 20 x 1,0 mm, pulido por una cara - CmSi3N4202010S1

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SiC - 4H (0001), 1" diá. x0,26 mm esp., una cara pulida - SC4Hz25D026C1US

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SiC - 4H (0001), 10x10x0,33 mm , Cara Si, 1SP - SC4HZ1010033S1

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SiC - 4H (0001), 2" diá. x0,3 mm esp., Una cara pulida

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SiC - 4H (0001), 2" diá. x0,33 mm esp., dos caras pulidas - SC4Hz50D033C2US

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SiC - 4H (0001), 5x5x0,3 mm , una cara pulida

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SiC - 4H (0001), 5x5x0,33 mm , dos caras pulidas

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SiC - 4H (0001)con 4 grados de hacia <11-20> /<10-10>, 10x10x0.33 mm , Cara Si, 1SP - SC4HZ1010033S1Deg4

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SiC - 4H en eje <0001>+/- 0,5 grados 4" diá. x0,35 mm espesor. Semiaislante dos caras pulido (cara Si EPI- pulido)-1