SiC - 4H (0001)con 4 grados de hacia <11-20> /<10-10>, 10x10x0.33 mm , Cara Si, 1SP - SC4HZ1010033S1Deg4

Especificaciones del sustrato

• Orientación: <0001> con 4 grados fuera hacia <11-20>
• Dimensiones: 10 x 10 x 0,33 +/-0,03 mm
• Pulido: Pulido epi por un lado en la cara de Si
• Rugosidad superficial: < 10 A por AFM

Propiedades típicas del SiC monocristalino

• Peso de la fórmula: 40,10
• Célula unitaria: hexagonal
• Constante de red: a =3,07 A c = 10,05 A
• Secuencia de apilamiento: ABCB (4H)
• Técnica de crecimiento: MOCVD
• Pulido: cara de silicio pulida
• Brecha de banda: 3,26 eV ( Indirecta)
• Tipo de conductividad: N
• TTV/Bow/Warp: <=35um
• Densidad de micropipeta: <=30 cm^-2
• Resistividad: 0,01~0,5 ohm-cm
• Constante dieléctrica: e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
• Conductividad térmica @ 300K: 5 W / cm . K
• Dureza: 9 Mohs
• Nivel de dopaje de átomos de nitrógeno : 10^18-19 cm^-3

Otros SiC	GaN	Plantilla AlN	ZnO
Zafiro	Sierra para dados	Contenedores para obleas	Recubridora de película