SiC - 4H (0001), 2" diá. x0,3 mm esp., Una cara pulida

Especificaciones del sustrato

• Orientación: <0001> ^±30?
• Orientación de los bordes : <11-20>^±1°<10-10>^±1°
• Dimensiones: 2"+/-0,15 mm x 0,3 +/-0,05 mm
• Pulido: una cara pulida
• Rugosidad de la superficie: < 5 A por AFM

Propiedades típicas del SiC monocristalino

• Peso de la fórmula: 40,10
• Célula unitaria: hexagonal
• Constante de red: a =3,07 A c = 10,53 A
• Secuencia de apilamiento: ABCB (4H)
• Técnica de crecimiento: MOCVD
• Pulido: cara de silicio pulida EPI
• Brecha de banda: 3,26eV ( Indirecta)
• Tipo de conductividad: N
• TTV/Bow/Warp: <=35 um
• Densidad de micropipeta: <=30 cm^-2
• Resistividad: 0,015~0,5 ohm-cm
• Constante dieléctrica: e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
• Conductividad térmica @ 300K: 4W / cm . K
• Dureza: 9 Mohs
• Nivel de dopaje de átomos de nitrógeno : 10^18-19 cm^-3

Producto relacionado

Otros SiC	GaN	Plantilla AlN	ZnO
Zafiro	Sierra para dados	Contenedores para obleas	Película de revestimiento Recubridor de película