SiC - 4H (0001), 1" diá. x0,26 mm esp., una cara pulida - SC4Hz25D026C1US

Especificaciones del sustrato

• Orientación: <0001> +/-0.5
• Dimensión: 1" x 0,26 +/-0,03 mm
• Pulido: Pulido epi por un lado
• Rugosidad superficial: < 5 A por AFM

Propiedades típicas del SiC monocristalino

• Peso de la fórmula: 40,10
• Célula unitaria: hexagonal
• Constante de red: a =3,07 A c = 10,53 A
• Secuencia de apilamiento: ABCB (4H)
• Técnica de crecimiento: MOCVD
• Pulido: cara de silicio pulida
• Brecha de banda: 3,26eV ( Indirecta)
• Tipo de conductividad: N
• TTV/Bow/Warp: <=35 um
• Densidad de micropipeta: <=30 cm^-2
• Resistividad: 0,015~0,5 ohm-cm
• Constante dieléctrica: e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
• Conductividad térmica @ 300K: 4W / cm . K
• Dureza: 9 Mohs

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