mti

MTI

Sustrato de sílice fundida, 10x10x0,5 mm, 1 cara pulida - SOF101005s1

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Sustrato de sílice fundida, 10x10x0,5 mm, 2 caras pulidas - SOF101005S2

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Sustrato de sílice fundida, 10x10x1,0mm, 1 cara pulida - SOF101010s1

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Sustrato de sílice fundida, 10x10x1,0 mm, dos caras pulidas

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Oblea de sílice fundida, 4" x 0,5 mm, 1 cara pulida

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Oblea de sílice fundida, 4" x 0,5 mm, 2 caras pulidas

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Oblea de sílice fundida, 4" x 1,0 mm, 1 cara pulida - SOF101D10C1

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FZ Si Wafer (100), 2" dia x 0.3 mm, 1SP, tipo P, B dopado R>1000 ohm-cm

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FZ Si Wafer (111), 2" dia x 0.275 mm, 1SP, tipo P, B dopado R>1000 ohm-cm

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Ga2O3 - Beta, Sustrato monocristalino, <-201> ori, 10x10x0.6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5

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Ga2O3-- Polvo > Pureza 4N, 100 g - Polvo-Ga2O3

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Sustrato monocristalino Ga2O3-Beta, <-201> ori, 5x5x0,6mm, 1SP

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Sustrato monocristalino Ga2O3-Beta, <010>+/-1 grado ori, 10x10x0,35mm, 2SP, grado de investigación con "Twin".

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Sustrato monocristalino Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35mm, 2SP, grado de investigación con "Twin".

MTI

Ga2O3-Beta Sustrato monocristalino, <100>+/-1 grado tipo N ,dopado con Fe 10x10x0.5mm, 1SP

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Ga2O3-Beta Sustrato monocristalino, <100>+/-1 grado tipo N ,dopado con Sn 10x10x0.5mm, 1SP

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Ga:ZnO (0001) tipo N+, dopado con Ga, 10x10x0,5mm, cara 1sp Zn pulida

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Orientación GaAs (100), 2 grados OFF hacia [101] +/- 0,5 grados, dopado con Te, tipo N, 2" dia x 0,485mm, 1sp, Prime Grade - GATea50D0485C1deg2US

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Orientación GaAs (100), 2 grados OFF hacia [101] +/- 0,5 grados, dopado con Te, tipo N, 2" dia x 0,5mm, 1sp, Prime Grade - GATea50D05C1deg2US

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Orientación GaAs (100), SI (semiaislante), sin dopar 5x5x 0,5mm, 1sp,