Película de nitruro de silicio de 100 nm (PE-CVD) sobre Si(100)tipo P, dopada con B de 100 mm de diámetro x 0,525 mm de espesor, 1sp,R:0,001-0,005 ohm.cm - FmSi3N4onSiBa100D0525C1FT100

Película de nitruro de silicio

• Película de Si3N4 recubierta por el método PE-CVD de baja tensión
  
• Si3N4 Espesor: 100 nm +/- 8%.
• Si3N4 cubre SOLO la cara pulida frontal de la oblea de Silicio
  
• Índice de refracción de Si3N3: 1,98 +/-0,05 @ 632,8nm

Especificaciones de la oblea de silicio:

• Tipo conductor: Si tipo P, dopado con B
  
• Resistividad: 0,001-0,005 ohm-cm
• Tamaño: 4" de diámetro +/- 0,5 mm x 0,525 +/- 0,025 mm de grosor
• Orientación: (100) +/- 0,^5o
• Pulido: Una cara pulida
• Rugosidad de la superficie: Prime
• Embalaje: Envasado al vacío en una caja de 4"
  

• Opcional: puede necesitar la siguiente herramienta para manejar la oblea ( haga clic en la imagen para pedir )

  Espátula de diamante para cortar sustrato de cristal único - DS-01	Rascador de microfibra y sin polvo, 4 "x4", 100 unidades/bolsa - Wiper-yx-2001	Pluma de vacío SMT-150C (NUEVO) - EQ-SMT-150C	Contenedores para obleas individuales

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