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MTI | SKU:
MIST-1600-6
1600°C Max. Sistema MIST/LPCVD hasta 6" Wafer - MIST-1600-6
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1600°C Max. Sistema MIST/LPCVD hasta 6" Wafer - MIST-1600-6
MTI
MIST-1600-6 es un sistema MIST/LPCVD diseñado para el crecimiento epitaxial de películas finas sobre diversos sustratos hasta 1600°C calentados por inducción. Cuenta con un soporte de sustrato de grafito calentado por inducción con control PID preciso. El cabezal de ducha de nitruro de boro (BN) permite una deposición uniforme de precursores sobre un sustrato a una temperatura elevada. El sistema también viene con una cámara de cuarzo hermética para LPCVD sin preocupaciones de fugas de precursores. Es una herramienta única para el crecimiento de películas finas a alta temperatura, especialmente para semiconductores de próxima generación, como Ga2O3 y BN.
ESPECIFICACIONES:
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