2" dia. Película de InGaAs sobre InP (SI) (100) Depositada por MOCVD, 2" dia x0.35mm,2sp,Película:500 nm
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2" dia. Película de InGaAs sobre InP (SI) (100) Depositada por MOCVD, 2" dia x0.35mm,2sp,Película:500 nm
MTI
Película de InGaAs de 2" de diámetro sobre InP (semiaislante)(100) mediante deposición MOCVD
Sustrato:
- InP Orientación: (100)
- Dopado con Fe, Semi-aislante
- Tamaño de la oblea: 2" de diámetro x 0,35 mm
- Resistividad:>1x10^7 ohm.cm
- Ambas caras pulidas
Película EPI :
- InGaAs tipo N (dopado con Si), (100)
- Nc>2x10^18 /cc
- Espesor de la película :0,5 um (+/- 20%)
- Rugosidad de la epicapa cercana a 1 monocapa (ML)
- En la cara posterior podemos esperar algunos depósitos y no podemos garantizar la misma calidad (rugosidad) que en el caso de la superficie de la capa activa.
Superficie lista para EPI y embalaje
Propiedades típicas
| Dopante | Tipo | Concentración de portador ( cm-3) | Movilidad ( cm2/V.Sec) | Resistividad ( ohm-cm ) | EPD (cm-2) |
| Sin dopar | N | 7.5-9.5 x1015 | 4300-4400 | 1,6E-1-4,5E-1 | ><5000 |
| Sn | N | 0.5 ~1.0 x1018 0.5 ~1.0 x1018 | 200 ~ 2400 1500 ~ 2000 | 0.001 ~ 0.002 0.0025~0.007 | 3~5 x104 |
| Zn | P | 0.8 ~ 2.0 x1018 2.5 ~ 4.0 x1018 | 2500 ~ 3500 1300 ~ 1600 | 0.0025 ~ 0.006 | 1~ 3 x104 |
| Fe | Semi-aislante | N/A | 1550-1640 | (2.1-2.7) x107 | <5000 |
