Ge epi-film tipo N de 4" sobre oblea de silicio tipo N, 0,5 um de espesor - FmGeNtypeonSiNtypea101D05C1US

Especificaciones:

• Oblea de silicio
• Tipo: N/P dopado
• Orientación: (100)
• Tamaño: 4'' dia
• Espesor: 500 - 550 um
• Calidad Prime
• Pletinas: 2 SEMI-STD en el eje 0 grados apagado
• Resistividad: 1-10 ohm.cm
• Parte posterior: Grabado
• Partículas < 50 @ >0,20 um
• TDD: <1E8 cm^2

• Película Ge epi-película
• Espesor: 0,5 um +/- 3%
• Orientación: (100)
• Tipo: Tipo N Tipo N
  
• Concentración de dopante: ~5E18 /cc
• Corriente RMS espec: Ra < 2 nm

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