Lámina de Ge tipo P de 4" sobre oblea de silicio tipo N, 0,5 um de espesor - FmGePtypeonSiNtypea101D05C1US

Especificaciones:

• Oblea de silicio
• Tipo: N/P dopado
• Orientación: (100)
• Tamaño: 4'' dia
• Espesor: 500 - 550 um
• Calidad Prime
• Pletinas: 2 SEMI-STD en el eje 0 grados fuera
• Lado posterior: Grabado
• Partículas: < 50 @ >0,20 um
• Resistividad: 1-10 ohm.cm
• TDD: <1E8 cm^2

• Película: Ge epi-película
• Espesor: 0,5 um +/- 3%
• Orientación: (100)
• Tipo: tipo P Tipo P
  
• Concentración de dopante: ~1E19 /cc
• Corriente RMS espec: Ra < 2 nm

Productos relacionados

Películas finas A-Z	Oblea de cristal A-Z	Limpiador de plasma	Contenedores para obleas	Sierra de corte	Recubridora de película