MTI  |  SKU: Fm4HSCon4HSC50d03C2deg8US

4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC (0001) w/ 8 degree off, P type,2 "dia.x0.33mm, carrier conc. 1.4 E17/cc, 2sp, thickness 4.3um-Fm4HSCon4HSC50d03C2deg8US

€3.448,85

Entrega y envío a la UE

Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.

4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC (0001) w/ 8 degree off, P type,2 "dia.x0.33mm, carrier conc. 1.4 E17/cc, 2sp, thickness 4.3um-Fm4HSCon4HSC50d03C2deg8US

MTI

Especificaciones

Lámina:
  • 4H-SiC (0001)
  • Espesor objetivo de la película 4,3 micras con (rango de aceptación de espesor) +/- 10%.
  • Capa de dopaje objetivo de la película: 1,4E17/cc con (rango de aceptación de dopaje) +0% /- 30%
  • Conductor Tipo P con
  • Acabado de la superficie Ambas caras se pulirán después de la deposición, tanto en la parte delantera como en la trasera Epiwafer pulido con Ra o RMS < 5 Angstrom
Sustrato:
  • 4H-SiC (0001) grado Prime
  • Fuera del eje: desviación 8,0 +/- 0,5 grados
  • Grado de imprimacióncon FWHM 20 segundos de arco
  • Orientación OF: paralelo {10-10} +/- 5 grados
  • Longitud de OF: 15,9 +/- 1,7 mm
  • Orientación IF: 90 grados cw. desde OF +/- 5 grados
  • Longitud del FI: 8,0 +/- 1,7 mm
  • Diámetro: 50,8 +/- 0,38 mm
  • Grosor 330 +/- 25 um
  • Resistividad: < 0,03 ohm-cm
  • Exclusión de bordes: 1 mm
  • Dos caras pulidas con Si-face CMP con rugosidad media Ra < 0,2 RMS

Productos relacionados

Películas finas A-Z

Oblea de cristal A-Z

Limpiador de plasma

Contenedores para obleas

Sierra de corte

Recubridora de película
Volver al principio