MTI  |  SKU: Fm4HSCon4HSC50d03C2deg4US

4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC(0001) with 4 degree off P type, 2 "dia. x0.33mm, carrier conc. (0.3-1.9) E16/cc, 2sp, film thickness: 11 um

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4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC(0001) with 4 degree off P type, 2 "dia. x0.33mm, carrier conc. (0.3-1.9) E16/cc, 2sp, film thickness: 11 um

MTI

Especificaciones

Lámina:
  • 4H-SiC (0001)
  • Espesor objetivo de la película: 11 um con (rango de aceptación del espesor) +/- 10%.
  • Conductor tipo P con
  • Concentración de portador: (0,3~ 1,9)E16 /cc
  • Acabado de la superficie Ambas caras se pulirán después de la deposición, tanto la parte delantera como la trasera Epiwafer pulido con Ra o RMS < 5 Angstrom
Sustrato:
  • 4H-SiC (0001) grado Prime
  • Fuera del eje: desviación de 4,0 +/- 0,5 grados
  • Grado de imprimacióncon FWHM 20 segundos de arco
  • Orientación OF: paralelo {10-10} +/- 5 grados
  • Longitud de OF: 15,9 +/- 1,7 mm
  • Orientación IF: 90 grados cw. desde OF +/- 5 grados
  • Longitud del FI: 8,0 +/- 1,7 mm
  • Diámetro: 50,8 +/- 0,38 mm
  • Grosor 330 +/- 25 um
  • Resistividad: N/A
  • Exclusión de bordes: 1 mm
  • Dos caras pulidas con Si-face CMP con rugosidad media Ra < 0,2 RMS

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