Plantilla de AlN no dopado sobre silicio ( Si <111> tipo P ) 10mmx10mm x 200 nm - FmAlNonSiBc101005S1FT200nm

La plantilla de AlN sobre silicio se fabrica mediante un método de PVDNC. La plantilla de AlN sobre silicio es una forma rentable de sustituir el sustrato monocristalino de AlN.

Especificaciones

• Área útil: 90%
• Espesor nominal de AlN: 200nm ±10%, película de AlN sin dopar recubierta por una cara
• Superficie frontal: <1nm RMS, tal como se recibe
• Superficie posterior: silicio tal como se recibe
• Orientación del AlN: plano c (00.1)
• Densidad de macrodefectos: <1/cm^2
• Base de la oblea: Silicio [111] tipo P, 10x10 x0,5 mm, una cara pulida