Plantilla de AlN sobre silicio de 4" (Si <111>, tipo P, dopado con B) 4 "x 500 nm - FmAlNonSiBc101D05C1FT500nmUS

La plantilla de AlN sobre silicio se fabrica mediante un método de PVDNC. La plantilla de AlN sobre silicio es una forma rentable de sustituir el sustrato monocristalino de AlN.

Especificaciones

• Área útil: 90%
  
• Espesor nominal de AlN: 500nm ±10%, película de AlN sin dopar recubierta por una cara
• Superficie frontal: as-grown
• Superficie posterior: silicio tal como se recibe
• Orientación del AlN: Plano C (00.1)
• Densidad de macrodefectos: <10/cm^2
• Base de la oblea: Silicio [111] tipo P, 4" dia x0.5 mm, , una cara pulida,R<5 ohm.cm