MTI  |  SKU: GASia50D035C1US5

GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) dopado con Si, tipo N, 2" dia x 0.35mm, 1sp,cc: (1.65-3.92) x 10^18 /cm^3

€327,75

Entrega y envío a la UE

Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.

GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) dopado con Si, tipo N, 2" dia x 0.35mm, 1sp,cc: (1.65-3.92) x 10^18 /cm^3

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (100)
  • Tamaño: 2" dia x 0.35mm
  • Pulido: Una cara pulida
  • Dopado: Si dopado
  • Tipo de conductor: Tipo N
  • Concentración de portadores: (1,65 - 3,92) x 10^18 /cm^3
  • Movilidad: 1440 - 2270 cm^2/V.S
  • Resistividad: (1,01 - 1,90) E-3 ohm.cm
  • EPD: < 500 cm^2
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Superficie y empaquetadura listas para EPI

Productos relacionados

Otros GaAs
InSb

 		Otros InAs

 		InP


GaSb

 		Caja de obleas

 Recubridora de película

 Hornos RTP
Volver al principio