MTI  |  SKU: GAUcA100D055C2US

GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)A , SI, no dopado, 4" dia x 0.55 mm, 2sp

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GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)A , SI, no dopado, 4" dia x 0.55 mm, 2sp

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (111)A
  • Plano primario: US(0-11); Plano secundario: US(2-1-1)
  • Tamaño: 4" dia x 0.55 mm
  • Pulido: Dos caras pulidas
  • Dopaje: no dopado
  • Tipo de conductor: Semi-aislante
  • Resistividad:(1.88-1.98)E8 ohm.cm
  • Concentración de portador: N/A
  • Movilidad:4940-5060 cm^2/V.S
  • EPD: N/A
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Nota: Obleas preparadas para EPI

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