GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)B , SI, no dopado, 4" dia x 0.625 mm, 2sp

Oblea monocristalina de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (111)B

Plano primario: EJ(0-11)+/- 0.5 deg; Plano secundario: EJ(-211)
Tamaño: 4" dia x 0.625mm
Pulido: Dos caras pulidas
Dopado: no dopado
Tipo de conductor: Semi-aislante

Resistividad:(2,13-3,15)E8 ohm.cm
Concentración de portadores: N/A
Movilidad: (4890-5360) cm^2/V.S
EPD: N/A

Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm

Nota: Obleas preparadas para EPI