MTI  |  SKU: GASia76D0625C2US5

GaAs, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Si, tipo N, 3" dia x 0.625mm, 2sp, Concentración de portador: (1.4-3.96) x 10^18 /cm^3 - GASia76D0625C2US5

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GaAs, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Si, tipo N, 3" dia x 0.625mm, 2sp, Concentración de portador: (1.4-3.96) x 10^18 /cm^3 - GASia76D0625C2US5

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (100)+/- 0,5 grados
  • Tamaño: 3" dia x 0.625mm
  • Pulido: dos caras pulidas
  • Dopado: Si dopado
  • Tipo de conductor: S-C-N
  • Concentración de portadores: (1,06-3,96) x 10^18/cm^3
  • Movilidad: 1420-2480 cm^2/V.S
  • Resistividad: (1,1-2,38) E-3 ohm.cm
  • EPD: <1000cm^2
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Superficie y empaquetadura listas para EPI
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