MTI  |  SKU: GASia100D06C2US5

GaAs, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Si, tipo N, 4" dia x 0.625mm, 2sp, Concentración de portador: (1.47-3.78) x 10^18 /cm^3 - GASia100D06C2US5

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GaAs, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Si, tipo N, 4" dia x 0.625mm, 2sp, Concentración de portador: (1.47-3.78) x 10^18 /cm^3 - GASia100D06C2US5

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (100)
  • Tamaño: 4" dia x 0.625 mm
  • Pulido: dos caras pulidas
  • Dopado: Si dopado
  • Tipo de conductor: S-C-N
  • Concentración de portadores: (1,47-3,78) x 10^18/cm^3
  • Movilidad: (1600 - 2130) cm^2/V.S
  • Resistividad: (1,03 - 2,01) E-3 ohm.cm
  • EPD: < 5000cm^2
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Superficie y empaquetadura listas para EPI

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