MTI  |  SKU: GAZne76D05C2US5

GaAs - Orientación VGF (110), dopado con Zn, tipo P, 3" dia x 0.5mm, 2sp - GAZne76D05C2US5

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GaAs - Orientación VGF (110), dopado con Zn, tipo P, 3" dia x 0.5mm, 2sp - GAZne76D05C2US5

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (110)
  • Tamaño: 3" dia x 0.5mm
  • Pulido: Dos caras pulidas
  • Dopado: Dopado con Zn
  • Tipo de conductor: Tipo P
  • Concentración de portadores: (1,3-1,4)E19/cm^3
  • Movilidad: 71-74 cm^2/V.S
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Resistividad: (6,1-6,6)x10^-3ohm.cm
  • Superficie y embalaje listos para EPI


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