MTI  |  SKU: GAUe50D05C2US5

GaAs, orientación VGF Grown (110), SI, sin dopar, 2" dia x 0.5mm, 2sp - GAUe50D05C2-US

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GaAs, orientación VGF Grown (110), SI, sin dopar, 2" dia x 0.5mm, 2sp - GAUe50D05C2-US

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (110)
  • Tamaño: 2" dia x 0.5mm
  • Pulido: dos caras pulidas
  • Dopaje: no dopado
  • Tipo de conductor: SI (Semi-aislante)
  • Concentración de portador: N/A
  • Movilidad: 3710-6230 cm^2/V.S
  • EPD: N/A
  • Resistividad: (0,8-4,8)E8 ohm.cm
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Superficie y empaquetadura listas para EPI


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