GaN , tipo N , dopado con Si (0001) 10x10,5x0,35mm,2sp

Los sustratos monocristalinos de GaN se fabrican mediante un método basado en la epitaxia en fase vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La gran velocidad de crecimiento permite el crecimiento de grosores de oblea autoportantes en un periodo de tiempo conveniente.

Especificaciones del sustrato

• Orientación: eje c (0001) +/- 1,0 ^o
• Espesor nominal 350+/- 25 micras
• Dimensión: 10 mm x 10,5 mm +/- 0,5 mm
• Arco <5 micras
• TTV <10 micras
• Tipo de conducción Tipo N
• Resistividad <0,05ohm-cm
• Densidad de dislocación ^<5x106cm-2
• Densidad de macrodefectos <=5 cm-2
• Acabado de la superficie frontal (Cara Ga)RMS <0,3 nm
• Acabado de la superficie posterior ( cara N), RMS <0,5 nm
• Área utilizable : >90% ( exclusión de bordes)

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