GaN -Sustrato de cristal único (0001), tipo N, 10x10x0,475 mm, 1SP - GaNC10100475S1NSUS5

Los sustratos monocristalinos de GaN se fabrican mediante un método basado en la epitaxia en fase vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La gran velocidad de crecimiento permite el crecimiento de grosores de oblea autoportantes en un periodo de tiempo conveniente.

Especificaciones del sustrato

• Orientación: eje c (0001) +/- 1,0 ^o
• Espesor nominal 475+/- 25 micras
• Dimensión: 10 mm x 10 mm +/- 0,5 mm
• Arco <5 micras
• TTV <10 micras
• Tipo de conducción Tipo N
• Resistividad < 0,5 Ohm-cm
• Densidad de dislocación < ^5x106cm-2
• Transmisión: => 70% ( pulse aquí para ver la curva de transmisión )
• Acabado de la superficie frontal (Cara Ga) RMS <0,5 nm
• Área de exclusión de bordes 1 mm
• Embalaje Contenedor de oblea individual o caja de membrana

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