GaN -Sustrato de cristal único, tipo N, (0001), 10x10,5x0,35 mm , 1SP

Los sustratos monocristalinos de GaN se fabrican mediante un método basado en la epitaxia en fase vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La gran velocidad de crecimiento permite el crecimiento de grosores de oblea autoportantes en un periodo de tiempo conveniente.

Especificaciones del sustrato

• Orientación: eje c (0001) +/- 1,0 ^o
• Tipo Tipo N (no dopado)
  
• Espesor nominal 350+/- 25 micras
• Dimensión: 10 mm x 10,5 mm +/- 0,5 mm
• Resistividad <0,5 ohm.cm
  
• Densidad de dislocación < 5x10^5 cm^-2
• TTV <=15 um
• ARCO <=20 um
• Acabado de la superficie frontal (Cara Ga) RMS <2,0 nm, pulido Epi-Ready
  
• Acabado de la superficie posterior: Esmerilado fino
  
• Superficie útil: >90%
  
• Embalaje Envase de oblea individual o caja de membrana
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