Plantilla GaN ( 200nm) sobre oblea de silicio, GaN (tipo N, no dopado), Si(111) tipo N dopado con P,10x10x0.279mm,1sp R:1-10 ohm.cm

La plantilla de GaN sobre silicio se fabrica mediante un método basado en la epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La plantilla de GaN sobre silicio es una forma rentable de sustituir el sustrato monocristalino de GaN.

• Espesor nominal del GaN: 0,20 µm ± 0,1 µm
• Acabado de la superficie frontal (cara de Ga): <1 nm RMS, tal cual,
  
  
• Acabado de la superficie posterior: Silicio ( 111) tipo N dopado con P R:1-10 ohm.cm
  
  
  
• Orientación del GaN: Plano C (00.1)
• Polaridad: Cara Ga
• Tipo de conducción: No dopado (N-) y resistividades: < 0,05 Ohm-cm
  
• Densidad de Macro Defectos: <1/cm^2
• Base de la oblea: Silicio [111], 10x10x0,279mm, una cara pulida
• Hay una capa intermedia de AlN de ~200nm entre el silicio y el GaN

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