Plantilla de GaN sobre oblea de silicio de 2", película de GaN(500nm), tipo N, sin dopar sobre sustratos de Si (111), 2 "x 0,279 mm, 1sp

La plantilla de GaN sobre silicio se fabrica mediante un método basado en la epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La plantilla de GaN sobre silicio es una forma rentable de sustituir el sustrato monocristalino de GaN.

• Espesor nominal del GaN: 0,5?m ± 0,1 ?m
• Acabado de la superficie frontal (cara de Ga): <1nm RMS, tal como se recibe
  
• Acabado de la superficie posterior: tal como se recibió
  
• Orientación del GaN: Plano C (00.1)
• Polaridad: Cara Ga
• Tipo de conducción: No dopado (N-)
• Densidad de Macro Defectos: <5/cm^2
• Base de la oblea: Silicio [111], tipo N, dopado con P, Res: 1-10 ohm-cm, 2" diámetro x 0,279mm, una cara pulida
• Hay una capa intermedia de AlN de ~200nm entre el silicio y el GaN

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