Oblea GaP, tipo N, dopada con S, (100), 2 grados hacia [101] +/- 0,5 grados, 48 mm de diámetro x 0,25 mm, 1sp
No se ha podido cargar la disponibilidad de recogida
Entrega y envío a la UE
Entrega y envío a la UE
Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.
Oblea GaP, tipo N, dopada con S, (100), 2 grados hacia [101] +/- 0,5 grados, 48 mm de diámetro x 0,25 mm, 1sp
MTI
- Oblea monocristalina de GaP,
- Tamaño: 48 mm de diámetro x 0,25 mm,
- Dopado: S dopado
- Tipo conductor: Tipo N,
- Orientación: (100) 2 grados OFF hacia [101] +/- 0,5 grados
- Pulido: una cara
- Acabado superficial (RMS o Ra) : < 8A
- Concentración del portador: (0,25 ~ 2,0 ) E18 / cm^3
- Risistividades: 0,185 ohm-cm
Propiedades físicas típicas | ||
Estructura cristalina | Cúbica. a =5.4505 ?/FONT> | |
Método de crecimiento | CZ (LEC) | |
Densidad | 4,13 g/cm3 | |
Punto de fusión | 1480 oC | |
Expansión térmica | 5,3 x10-6 / oC | |
Dopante | S dopado | no dopado |
Eje de crecimiento del cristal | <111> o <100> | <100> o <111> |
Tipo de conducción | N | N |
Concentración del portador | (2 ~ 12) x1017 /cm3 | 4 ~ 6 x1016 /cm3 |
Resistividad | ~ 0.03 ohm-cm | ~ 0.3 ohm-cm |
EPD | < 3x105 | < 3x105 |
| Película de revestimiento |
![GaP wafer, N type, S doped, (100), 2 deg toward [101] +/- 0.5 deg, 48 mm in dia x 0.25 mm, 1sp - Thasar Store](http://www.thasar.com/cdn/shop/files/gpua50d05c2-9_752b1da9-49a6-491a-a05e-6816f7699f42.jpg?v=1736897640&width=1214)