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MTI | SKU:
GPUc50D045C2US
Oblea GaP no dopada (111) 2" diaX 0,45mm 2sp,R> 7 x10^7 ohm.cm,Semi-Aislante
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Oblea GaP no dopada (111) 2" diaX 0,45mm 2sp,R> 7 x10^7 ohm.cm,Semi-Aislante
MTI
- Oblea de cristal único GaP,
- Tamaño: 2" diámetro(+/_0.15mm) x 0.45mm(+/_ 0.05mm),
- Dopaje: no dopado,
- Tipo de conductor: Tipo N,
- Orientación: (111)+_30'
- Planos: SEMI: PF:<110>
- SF:<112>
- Movilidad: 150 cm^2/Vs
- Resistividad: >7 x10^7 ohm.cm
- Concentración portadora: 9 x10^8 cm^-3
- EPD:<=8x10^4 cm^-2
- Pulido: dos caras pulidas.
- Acabado superficial (RMS o Ra) : < 8A
Propiedades físicas típicas | ||
Estructura cristalina | Cúbica. a =5.4505Å | |
Método de crecimiento | CZ (LEC) | |
Densidad | 4,13 g/cm3 | |
Punto de fusión | 1480 oC | |
Expansión térmica | 5,3 x10-6 / oC | |
Dopante | S dopado | no dopado |
Eje de crecimiento del cristal | <111> o <100> | <100> o <111> |
Tipo de conductor | N | N |
Concentración del portador | 2 ~ 8 x1017 /cm3 | 4 ~ 6 x1016 /cm3 |
Resistividad | ~ 0,03 ohm-cm | ~ 0,3 ohm-cm |
EPD | < 3x105 | < 3x105 |
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