MTI  |  SKU: GSTea50D045C1US

GaSb (100), tipo N, dopado con Te, oblea de 2 "D x0,5 mm 1sp Concentración del portador: (1-8)x10^17 cm^-3

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GaSb (100), tipo N, dopado con Te, oblea de 2 "D x0,5 mm 1sp Concentración del portador: (1-8)x10^17 cm^-3

MTI

Obleas monocristalinas de GaSb de alta calidad para la industria de semiconductores.

  • Tamaño: 2" de diámetro x 0,5 mm,
  • Orientación: (100)
  • Planos: SEMI
  • Dopado: Te dopado,
  • Tipo conductor: Tipo N.
  • Movilidad:2000-3500 cm^2/V.s
  • Concentración de portadores: (1-8)x10^17 cm^-3
  • Pulido: una cara pulida.
  • Cultivado mediante una técnica especial de LEC , EPD :<1000/cm2
  • En también obleas de GaSb de alta resistividad de tipo N y P.
  • Acabado superficial (Ra) : < 5A

Propiedades típicas
Estructura cristalina: cúbica a = 6,095 Å
 Densidad: 5,619 g/cm3
 Punto de fusión: 710 oC
Expansión térmica: 6,1 x 10 -6 /oK
Conductividad térmica: 270 mW / cm.k a 300K

Dopante

Escriba a

Concentración del portador

( cm-3)

Movilidad

( cm2/V.Sec)

Resistividad

( ohm-cm )

EPD

(cm-2)

Sin dopar

P

1.0~2.0 x1017

600 ~ 800

~0.1

<10000

Zn

P+

2.0~5.0 x1018

300 ~ 500

~0.004

<10000

Te

N

2.0~6.0 x1017

2500 ~ 3500

~0.05

<10000

Alta resistividad

P o N

1.0~2.0 x1016

460

~ 1.0

<10000

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