MTI  |  SKU: GSZna50D045C1US5

GaSb, (100), dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.45mm, 1sp,Concentración portadora: (5.8)x10^18 cm^-3

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GaSb, (100), dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.45mm, 1sp,Concentración portadora: (5.8)x10^18 cm^-3

MTI

  • Alta calidad Obleas monocristalinas de GaSb para la industria de semiconductores.
  • Tamaño: 2" de diámetro x 0,45 mm,
    • Orientación: (100)
    • Dopado: Dopado Zn,
    • Tipo conductor: Tipo P.
    • Concentración de portadores: (5,8)x10^18 cm^-3
    • Resistividad: 3,9 x10^-3 ohm.cm
    • EPD: < 2x 10^3 cm ^-2
    • Movilidad: 270 cm^2/V.S
    • Pulido: una cara pulida.
    • Cultivado mediante una técnica especial LEC
    • Acabado superficial (RMS o Ra) : < 5A
Propiedades típicas
  • Estructura cristalina: cúbica a = 6,095 Å
  • Densidad: 5,619 g/cm3
  • Punto de fusión: 710 oC
  • Expansión térmica: 6,1 x 10 -6 /oK
  • Conductividad térmica: 270 mW / cm.k a 300K

Dopante

Tipo

Concentración de portadores
( cm-3)

Movilidad
( cm2/V.Sec)

Resistividad
( ohm-cm )

EPD
(cm-2)

Sin dopar

P

1.0~2.0 x1017

600 ~ 800

~0.1

<10000

Zn

P+

1.0~3.0 x1017

200 ~ 500

~0.004

<10000

Te

N

2.0~6.0 x1017

2500 ~ 3500

~0.05

<10000

Alta resistividad

P o N

1.0~2.0 x1016

460

~ 1.0

<100











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