Ge Single Crystal wafer, N-type undoped (111) 4 "x0.5 mm,1sp.R:50 ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (111) +/-0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 4" dia x 500 micras
• Pulido superficial: Pulido epi por una cara
• Rugosidad superficial: < 30 A ( por AFM)
• Dopado: No dopado
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: >50 Ohms/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937.4 ^oC
• Conductividad térmica 640

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