Ge Wafer (100) +/- 1 grado, 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), resistividades: 0,1-0,5 ohm-cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (100)+/- 1 o
  
• Tamaño de la oblea: 2" dia x 500 micras
• Pulido de superficie: Pulido epi en dos caras
• Rugosidad superficial: RMS o Ra:~ 10 A ( por AFM)
• Dopado: Sb dopado
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: 0.1-0.5 Ohms/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754 A
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640