Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado), resistividad:2.5-2.7ohm-cm - GESba50D05C1R2pt7BeUS

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (100) +/- 0.23 Deg.
• Tamaño de la oblea: 2" dia x 500 micras
• Pulido superficial: pulido epi por un lado
• Rugosidad superficial: RMS o Ra< 5 A ( por AFM)
• Dopado: Dopado de Sb
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: 2,5-2,7 ohm-cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754 A
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937.4 ^oC
• Conductividad térmica 640