Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo P ( Ga dopado), resistividad: 0.0007-0.002 ohm-cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (100) +/-0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 2" dia x 500 micras
• Pulido superficial: Pulido epi por una cara
• Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
• Dopado: Ga dopado
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: 0,0007-0,002 ohm-cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754 Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640