Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo P (Ga dopado), resistividad: 0.001-0.01 ohm-cm - GEGaa50D05C2R0001US

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (100) +/_0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 2 "de diámetro x 500 micras
• Pulido de superficie: Pulido epi en dos lados
• Rugosidad de la superficie: RMS o Ra:~ 10 A(Por AFM)
• Dopado: Ga dopado
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: 0.001-0.01 Ohms/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754 A
• Densidad: 5.765 g/cm3
• Punto de fusión: 937.4 ^oC
• Conductividad térmica 640