MTI  |  SKU: GEsba50D10c1R002US

Ge Wafer (100) 2" dia x 1.0 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado), resistividades: 0,02 ohm-cm - GEsba50D10c1R002US

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Ge Wafer (100) 2" dia x 1.0 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado), resistividades: 0,02 ohm-cm - GEsba50D10c1R002US

MTI

Especificación Ge Wafer

  • Método de cultivo: CZ
  • Orientación: (100) +/-0.5 Deg.
  • Tamaño de la oblea: 2" dia x 1000 micras
  • Pulido superficial: pulido epi por un lado
  • Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
  • Dopado: Dopado de Sb
  • Tipo de conductor: Tipo N
  • Resistividad: 0,02 Ohms/cm
  • EPD:
  • Embalaje: sala blanca de clase inferior a 1000

Propiedades típicas:

  • Estructura: Cúbica, a = 5.6754 Å

  • Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente

  • Punto de fusión: 937,4 oC

  • Conductividad térmica: 640

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