Ge Wafer (100) Sin dopar, 2" dia x 0,5 mm, resistividades: >50 ohm-cm, 2SP - GEUa50D05C2R50US

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (100) +/_0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 2 "de diámetro x 500 micras
• Pulido de superficie: Pulido epi en dos lados
• Rugosidad superficial: RMS o Ra:~ 10 A( por AFM)
• Dopado: Sin dopar
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: >50 Ohms/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754 A
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640