Ge Wafer (100) con plano (100) 4" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado) Resistividades: 0,1-0,5 ohm-cm - GESba100D05C1R01US

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (100) +/-0.5 Deg.
  Plano: <100>
• Tamaño de la oblea: 4" dia x 500 micras
• Pulido superficial: Pulido epi por una cara
• Rugosidad superficial: RMS o Ra:~ 10 A(Por AFM)
• Dopado: Sb dopado
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: 0.1-0.5 Ohms/cm
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640